شبیه سازی سه بُعدی توزیع دما و میدان شاره در یک سیستم رشد بلور چُکرالسکی ژرمانیوم

پایان نامه
چکیده

بلورهای نیمه¬هادی کاربرد وسیعی در ساخت قطعات الکترونیکی و مدارهای مجتمع دارند. ژرمانیوم یکی از بلورهای نیمه¬هادی است که در صنایع الکترونیک و مخابرات به¬صورت دیود و ترانزیستور به¬کار می¬رود. در کاربردهای الکتریکی علاوه بر این¬که ژرمانیوم باید به شکل تک¬بلور باشد، درجه¬ی خلوص آن نیز از اهمیت زیادی برخوردار است. مهم ترین تکنیک رشد این بلور نیمه-هادی، رشد از فاز مذاب و به روش چُکرالسکی می¬باشد. در این روش پودر ژرمانیوم ابتدا ذوب و سپس یک دانه¬ی بلوری با سطح آزاد مذاب تماس داده شده و ضمن چرخش به آهستگی بالا کشیده می¬شود تا به مذاب امکان رشد بر روی دانه داده شود. گرمای مورد نیاز برای ذوب پودر ژرمانیوم اساساً از دو مکانیسم القائی و مقاومتی در سیستم گرمایشی کوره¬ی چُکرالسکی تأمین می¬شود. بسته به سیستم گرمایشی به¬کار رفته درون کوره، ساختمان و هندسه¬ی هر کوره با کوره¬ی دیگر متفاوت خواهد بود. یک تک بلور کامل و موفق نیازمند تعادل در انرژی تولید شده و همچنین انتقال گرما در طی فرآیند رشد می¬باشد. از آن¬جائی که تبلور معمولی در دماهای بالا انجام می¬شود و مذاب¬های نیمه¬هادی برای تابش غیرشفاف هستند، تشخیص فرآیندهای موجود درنیمه¬هادی مذاب واقعاً مشکل است. تنها روش برای مطالعه¬ی تجربی آن، بررسی بلورهای رشد یافته است که به طور جدی کیفیت اطلاعات را کم می-کند. راه حل بسیار مهم برای رفع این مشکل، مدل¬سازی ریاضی سیستم رشد بلور می¬باشد. یکی از قدرتمندترین نرم افرازهایی که برای مدل سازی این سیستم رشد استفاده می شود، نرم افراز fluent است که با استفاده از روش دینامیک سیالات محاسباتی و مبتنی بر روش حجم محدود نوشته شده است. با استفاده از این نرم افزار شبیه سازی حاضر انجام شده که بعد از توصیف کامل مراحل کار، توزیع میدان های دما و سرعت بررسی می شوند.

منابع مشابه

شبیه سازی میدان های دما و جریان شاره در یک سیستم رشد بلور ژرمانیوم

بلورهای نیمه هادی کاربرد وسیعی در ساخت قطعات الکترونیکی و مدارهای مجتمع دارند. ژرمانیوم یکی از بلورهای نیمه-هادی است که در صنایع الکترونیک و مخابرات به صورت دیود و ترانزیستور به کار می رود. در کاربردهای الکتریکی علاوه بر این که ژرمانیوم باید به شکل تک بلور باشد، درجه ی خلوص آن نیز از اهمیت زیادی برخوردار است. مهمترین تکنیک رشد این نیمه هادی، رشد از فاز مذاب و به روش چکرالسکی می باشد. یکی از قدر...

تغییرات زمانی میدان دما در یک مذاب دو بعدی چکرالسکی

آینده مدل سازی سیستم رشد بلور به پیشرفت در مدل سازی پارامترهای تاثیر گذار وابسته است. تلاش های فراوانی برای تحلیل پدیده های انتقال در رشد بلور شده است. در سیستم های رشد بلور به?روش چکرالسکی کیفیت و اندازه بلورهای رشد داده شده به مجموعه عوامل فیزیکی سیستم و فرآیند رشد?بستگی دارد. در این بین دو نوع متغیر سیستم را تحت تاثیر قرار می دهد. متغیرهای درونی که معمولاً غیر قابل دسترس هستند و پارامترهای بی...

15 صفحه اول

شبیه سازی الگوی جریان سه بعدی، توزیع دما و شوری سطحی آب در حوضه جنوبی دریای خزر

In this study, patterns of water current, sea surface temperature and salinity distributions over the South Caspian Sea (SCS) have been investigated using ROMS model. Appling the most accurate bathymetry data and forces with temporal resolution of 3-6 hours, and spatial resolution of 0.125 deg is a characteristic of the simulations used in this study. Results show that there is a barotropic ant...

متن کامل

شبیه سازی رشد تک بلور BGO بوسیله روش ارتقاء یافته چُکرالسکی با گرادیان دمای پایین

در این مقاله میدان دما و جریان شاره در طی مراحل مختلف رشد تک بلور BGO به روش چُکرالسکی با گرادیان دمای پایین و استفاده از سیستم گرمایش مقاومتی شبیه سازی و کیفیت بلور رشد یافته با استفاده از تنش گرمایی ایجاد شده در آن، در ارتفاع های مختلف بررسی شده است. پیکربندی سامانه رشد استفاده شده در سیستم مورد مطالعه مطابق یا یک سیستم واقعی در آزمایشگاه و شامل یک لوله سرامیکی استوانه ای، محافظ گرمایی و سه من...

متن کامل

شبیه سازی عددی سه بعدی رفتار قطره و عکس العمل قطره و دیوار در میدان الکتریکی

در این پژوهش، رفتار قطره و نیز عکس العمل قطره و دیوار در میدان الکتریکی یکنواخت خارجی به صورت کاملا سه بعدی شبیه سازی شده است. میدان الکتریکی با اعمال اختلاف پتانسیل ایجاد و سپس با استفاده از مدل نشت عایق تیلور، نیروی الکتریکی ناشی از این میدان، محاسبه و به معادلات نویر-استوکس اضافه شده است. این نیرو، بسته به خصوصیات الکتریکی قطره و سیال پیرامون، باعث تغییر شکل آن به صورت آبلیت )راستای عمود بر ...

متن کامل

شبیه سازی دو بعدی عددی جریان های شاره در رشد بلور al2o3 از مذاب

تکنیک چُکرالسکی متداول ترین روش برای رشد بلورهای اکسید مانند (al2o3) sapphire از فاز مذاب است. در این روش، ابتدا یک بلور اولیه با شعاع کوچک در تماس با سطح آزاد مذاب قرار می گیرد. پس از ایجاد فصل مشترک بلور- مذاب و برقراری تعادل حرارتی در سیستم، این بلور اولیه به سمت بالا کشیده می شود و در نتیجه یک تک بلور در پائین آن شروع به رشد می کند. فرآیندهای گرمای القائی، جریان های شاره و انتقال حرارت نقش م...

15 صفحه اول

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه بوعلی سینا - دانشکده علوم پایه

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023